دانلود سمینار کارشناسی ارشد الکترونیک

عنوان سمینار :بررسی انواع روش­های ساخت و کاربردهای ترانزیستورهای با تحرک الکترون بالا (HEMT)

چکیده

یکی از انواع ترانزیستورهای اثر میدانی که امروزه به‌عنوان یکی از اعضای جدایی‌ناپذیر الکترونیک به شمار می‌رود ترانزیستورهای با تحرک الکترون بالا High electron mobility transistor (HEMT) می‌باشد.
ترانزیستورهای HEMT قادرند تا در فرکانس‌های بالاتر از ترانزیستورهای معمولی و تا فرکانس‌های موج میلیمتری کار کنند. در این سمینار بدنبال شناخت بیشتر این ترانزیستورها به‌منظور استفاده از آن‌ها در بخش‌های مختلف هستیم. موضوع سمینار پیش‌ رو بررسی نحوه‌ی کار و مکانیسم کوانتومی این ترانزیستورها و مقایسه‌ی ساختار انواع HEMT های مبتنی بر GaAs ، HEMT های مبتنی بر GaN و HEMT های مبتنی بر InP از لحاظ خواص الکتریکی مد نظر بوده و ورژن‌های مختلف HEMT ‌ها مانند pHEMT و mHEMT معرفی گردیده و کاربرد هر یک با توجه به اطلاعات بررسی شده مورد ارزیابی قرار می‌گیرد.
در ادامه روشهای اپیتکسی شامل MBE و MOCVD که در ساخت این ترانزیستورها نقش اساسی دارند معرفی می‌شوند. همچنین نحوه‌ی ساخت ترانزیستورهای HEMT به اختصار شرح داده می‌شود. در مرحله‌ی بعد زمینه‌های تحقیقاتی روز که به عنوان موضوعات مقالات جدید بوده معرفی می‌شود. با توجه به گستردگی بسیار زیاد مباحث پیرامون ترانزیستورهای HEMT امروزه در سراسر دنیا دانشجویان و محققان بسیاری به مباحث پیرامون این ترانزیستورها ، محدودیت‌ها و مشکلات آن می‌پردازند. موضوعات مطرح شده در این سمینار با توجه به به روز بودن می‌تواند مورد استفاده‌ به عنوان پروژه و پایان‌نامه دانشجویان گرامی قرار بگیرد.
در قسمت انتهایی نیز مجموعه‌ای از آخرین تلاش‌ها و رکوردهای مربوط به انواع ترانزیستورهای HEMT در اختیار شما قرار داده می‌شود. با توجه به کاربردهای گسترده و اهمیت استراتژیک این ترانزیستورها به‌خصوص در کاربردهای فضایی و جنگ الکترونیک اهمیت پرداختن به موضوعات پیرامون ترانزیستورهای HEMT دو چندان می‌شود.

فهرست مطالب
فصل اول مقدمه
فصل دوم تئوری و ساختار ترانزیستورهای HEMT
فصل سوم خواص ، ساختار و کاربردهای انواع ترانزیستورهای HEMT
فصل چهارم روش ساخت ترانزیستورهای HEMT
فصل پنجم زمینه‌های تحقیقاتی و آخرین رکوردها
فصل ششم نتیجه گیری

دانلود از این لینک